SQ3442EV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ3442EV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SQ3442EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3442EV даташит

 ..1. Size:207K  vishay
 sq3442ev.pdf pdf_icon

SQ3442EV

SQ3442EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.085 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) 4.3 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to R

Другие IGBT... SQ3410EV, SQ3418EEV, SQ3418EV, SQ3419EEV, SQ3426EEV, SQ3426EV, SQ3427EEV, SQ3427EV, IRFP460, SQ3456BEV, SQ3456EV, SQ3457EV, SQ3460EV, SQ3469EV, SQ3481EV, SQ3985EV, SQ4182EY