Справочник MOSFET. SQ3442EV

 

SQ3442EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3442EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3442EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3442EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  vishay
 sq3442ev.pdf pdf_icon

SQ3442EV

SQ3442EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.085 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 4.3 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to R

Другие MOSFET... SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , SQ3419EEV , SQ3426EEV , SQ3426EV , SQ3427EEV , SQ3427EV , IRF640 , SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY .

History: NCEAP40ND80G | 2SK3686-01 | HM3421B | 12N65H | TN2404K | STT468A | STW37N60DM2AG

 

 
Back to Top

 


 
.