Справочник MOSFET. SQ3481EV

 

SQ3481EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3481EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3481EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3481EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  vishay
 sq3481ev.pdf pdf_icon

SQ3481EV

SQ3481EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.043 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.070 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2

Другие MOSFET... SQ3427EEV , SQ3427EV , SQ3442EV , SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , IRF630 , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY .

History: AOU4N60 | TT8J3 | DE475-102N21A | KRF7401 | STB100NF03L-03 | NP82N055EHE | CHM2304GP

 

 
Back to Top

 


 
.