SQ3481EV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ3481EV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SQ3481EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3481EV даташит

 ..1. Size:202K  vishay
 sq3481ev.pdf pdf_icon

SQ3481EV

SQ3481EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.043 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.070 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2

Другие IGBT... SQ3427EEV, SQ3427EV, SQ3442EV, SQ3456BEV, SQ3456EV, SQ3457EV, SQ3460EV, SQ3469EV, IRF640N, SQ3985EV, SQ4182EY, SQ4184EY, SQ4282EY, SQ4284EY, SQ4330EY, SQ4401DY, SQ4401EY