SQ3481EV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ3481EV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для SQ3481EV
SQ3481EV Datasheet (PDF)
sq3481ev.pdf
SQ3481EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.043 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.070 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2
Другие MOSFET... SQ3427EEV , SQ3427EV , SQ3442EV , SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , IRF640N , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY .
History: SQ3985EV
History: SQ3985EV
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416


