SQ4282EY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ4282EY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQ4282EY
SQ4282EY Datasheet (PDF)
sq4282ey.pdf
SQ4282EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0123 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0135 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Dual
sq4284ey.pdf
SQ4284EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0135 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0148 Material categorization:For definitions of compliance please seeID (A) 8www.vishay.com/doc?9991
Другие MOSFET... SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , IRF3710 , SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY .
History: SQ4284EY
History: SQ4284EY
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560



