SQ4282EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4282EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 396 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4282EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4282EY даташит

 ..1. Size:255K  vishay
 sq4282ey.pdf pdf_icon

SQ4282EY

SQ4282EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0123 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0135 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Dual

 9.1. Size:253K  vishay
 sq4284ey.pdf pdf_icon

SQ4282EY

SQ4284EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0135 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0148 Material categorization For definitions of compliance please see ID (A) 8 www.vishay.com/doc?9991

Другие IGBT... SQ3456EV, SQ3457EV, SQ3460EV, SQ3469EV, SQ3481EV, SQ3985EV, SQ4182EY, SQ4184EY, IRF3710, SQ4284EY, SQ4330EY, SQ4401DY, SQ4401EY, SQ4410EY, SQ4425EY, SQ4431EY, SQ4435EY