Справочник MOSFET. SQ4284EY

 

SQ4284EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4284EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4284EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4284EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
 sq4284ey.pdf pdf_icon

SQ4284EY

SQ4284EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0135 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0148 Material categorization:For definitions of compliance please seeID (A) 8www.vishay.com/doc?9991

 9.1. Size:255K  vishay
 sq4282ey.pdf pdf_icon

SQ4284EY

SQ4282EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0123 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0135 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Dual

Другие MOSFET... SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , IRFB4227 , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY .

History: 2SK3371 | IRFBE30SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.