Справочник MOSFET. SQ4284EY

 

SQ4284EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ4284EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 252 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQ4284EY

 

 

SQ4284EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
sq4284ey.pdf

SQ4284EY SQ4284EY

SQ4284EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0135 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0148 Material categorization:For definitions of compliance please seeID (A) 8www.vishay.com/doc?9991

 9.1. Size:255K  vishay
sq4282ey.pdf

SQ4284EY SQ4284EY

SQ4282EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0123 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0135 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Dual

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top