Справочник MOSFET. SQ4401DY

 

SQ4401DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4401DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4401DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4401DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  vishay
 sq4401dy.pdf pdf_icon

SQ4401DY

SQ4401DYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 150 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.023 AEC-Q101 QualifiedID (A) - 15.8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia

 8.1. Size:250K  vishay
 sq4401ey.pdf pdf_icon

SQ4401DY

SQ4401EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.023 AEC-Q101 QualifiedID (A) - 17.3 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia

Другие MOSFET... SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV , SQ4182EY , SQ4184EY , SQ4282EY , SQ4284EY , SQ4330EY , IRFP250N , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , SQ4470EY , SQ4483EEY , SQ4483EY .

History: 10N65KG-TF2-T | ZXMN7A11K | 2SK3519-01 | 19N10G-TF1-T | SMIRF16N65T2TL | 2SK3228 | PSMN018-100ESF

 

 
Back to Top

 


 
.