SQ4470EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4470EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4470EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4470EY даташит

 ..1. Size:250K  vishay
 sq4470ey.pdf pdf_icon

SQ4470EY

SQ4470EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.012 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 6 V 0.014 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

Другие IGBT... SQ4284EY, SQ4330EY, SQ4401DY, SQ4401EY, SQ4410EY, SQ4425EY, SQ4431EY, SQ4435EY, IRF630, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, SQ4917EY, SQ4920EY, SQ4936EY