SQ4470EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQ4470EY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQ4470EY Datasheet (PDF)
sq4470ey.pdf

SQ4470EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 6 V 0.014 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please see Configuration Singlewww.
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HAT3006R | MMBT7002E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381