Справочник MOSFET. SQ4470EY

 

SQ4470EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4470EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4470EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4470EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  vishay
 sq4470ey.pdf pdf_icon

SQ4470EY

SQ4470EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 6 V 0.014 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please see Configuration Singlewww.

Другие MOSFET... SQ4284EY , SQ4330EY , SQ4401DY , SQ4401EY , SQ4410EY , SQ4425EY , SQ4431EY , SQ4435EY , 7N65 , SQ4483EEY , SQ4483EY , SQ4532AEY , SQ4840EY , SQ4850EY , SQ4917EY , SQ4920EY , SQ4936EY .

History: SPD03N50C3 | STB12N120K5 | HGN195N15S | NCE60NF730D | SSM3K310T | NCE60N370K | DMG3415UFY4

 

 
Back to Top

 


 
.