SQ4850EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4850EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4850EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4850EY даташит

 ..1. Size:250K  vishay
 sq4850ey.pdf pdf_icon

SQ4850EY

SQ4850EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.022 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.031 Material categorization ID (A) 12 For definitions of compliance please see Configuration Single www

Другие IGBT... SQ4425EY, SQ4431EY, SQ4435EY, SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, 2N7002, SQ4917EY, SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY