SQ4920EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4920EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4920EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4920EY даташит

 ..1. Size:251K  vishay
 sq4920ey.pdf pdf_icon

SQ4920EY

SQ4920EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0145 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0175 Material categorization ID (A) per leg 8 For definitions of compliance please see Configuration

Другие IGBT... SQ4435EY, SQ4470EY, SQ4483EEY, SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, SQ4917EY, IRF4905, SQ4936EY, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY, SQ4961EY