Справочник MOSFET. SQ4920EY

 

SQ4920EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4920EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4920EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sq4920ey.pdf pdf_icon

SQ4920EY

SQ4920EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0145 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0175 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please seeConfiguration

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.