IXFX90N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFX90N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFX90N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX90N30 даташит

 ..1. Size:125K  ixys
 ixfx90n30 ixfk90n30.pdf pdf_icon

IXFX90N30

IXFX 90N30 VDSS = 300 V HiPerFETTM IXFK 90N30 ID25 = 90 A Power MOSFETs RDS(on) = 33 m Single MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C (MOSFET chip capabi

 7.1. Size:197K  ixys
 ixfk90n60x ixfx90n60x.pdf pdf_icon

IXFX90N30

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFK90N60X Power MOSFET ID25 = 90A IXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264P (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V S VGSS

 7.2. Size:52K  ixys
 ixfx90n20q ixfk90n20q.pdf pdf_icon

IXFX90N30

HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 V IXFK 90N20Q ID25 = 90 A Power MOSFETs RDS(on) = 22 m Q-CLASS Single MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr PLUS 247TM (IXFX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150

 9.1. Size:135K  ixys
 ixfk94n50p2 ixfx94n50p2.pdf pdf_icon

IXFX90N30

Polar2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK94N50P2 Power MOSFET ID25 = 94A IXFX94N50P2 RDS(on) 55m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V PLUS247 (IXFX) VGSM Tr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFX28N60, IXFX32N50Q, IXFX34N80, IXFX44N60, IXFX48N50Q, IXFX50N50, IXFX55N50, IXFX90N20Q, 2N60, IXTA1N100, IXTA2N80, IXTH10N100, IXTH10N90, IXTH10P50, IXTH11N80, IXTH11P50, IXTH12N100