Справочник MOSFET. SQ4961EY

 

SQ4961EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4961EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4961EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4961EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  vishay
 sq4961ey.pdf pdf_icon

SQ4961EY

SQ4961EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 Material categorization:ID (A) per leg - 4.4For definitions of compliance please see Con

Другие MOSFET... SQ4920EY , SQ4936EY , SQ4937EY , SQ4940EY , SQ4942EY , SQ4946AEY , SQ4949EY , SQ4953EY , IRFB3607 , SQ7002K , SQ7414AEN , SQ7414AENW , SQ7414EN , SQ7415AEN , SQ7415AENW , SQ7415EN , SQ9407EY .

 

 
Back to Top

 


 
.