Справочник MOSFET. SQ4961EY

 

SQ4961EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ4961EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQ4961EY

 

 

SQ4961EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  vishay
 sq4961ey.pdf

SQ4961EY SQ4961EY

SQ4961EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 Material categorization:ID (A) per leg - 4.4For definitions of compliance please see Con

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top