Справочник MOSFET. SQ4961EY

 

SQ4961EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4961EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4961EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  vishay
 sq4961ey.pdf pdf_icon

SQ4961EY

SQ4961EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 Material categorization:ID (A) per leg - 4.4For definitions of compliance please see Con

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | P0804BD

 

 
Back to Top

 


 
.