SQ4961EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4961EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4961EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4961EY даташит

 ..1. Size:257K  vishay
 sq4961ey.pdf pdf_icon

SQ4961EY

SQ4961EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 Material categorization ID (A) per leg - 4.4 For definitions of compliance please see Con

Другие IGBT... SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY, K4145, SQ7002K, SQ7414AEN, SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, SQ7415AENW, SQ7415EN, SQ9407EY