SQ7415AENW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ7415AENW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8W

Аналог (замена) для SQ7415AENW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ7415AENW даташит

 ..1. Size:180K  vishay
 sq7415aenw.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7415AENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8W RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.065 package with 1.07 mm profile RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.090 AEC-Q101 qualified ID (A) -16 Wettable flank terminals Configuration Singl

 5.1. Size:560K  vishay
 sq7415aen.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7415AEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 PowerPAK Package RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.065 - Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.090 - Low 1.07 mm Profile ID (A) - 16 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % R

 8.1. Size:550K  vishay
 sq7415en.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7415EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 PowerPAK Package RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.065 - Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.110 - Low 1.07 mm Profile ID (A) - 5.7 Fast Switching Configuration Single AEC-Q101 Qualified

 9.1. Size:614K  vishay
 sq7414aen.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7414AEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 package with 1.07 mm profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimized ID (A) 16 100 % Rg and UIS tested Configuration Single AEC-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ4949EY, SQ4953EY, SQ4961EY, SQ7002K, SQ7414AEN, SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, IRFB3607, SQ7415EN, SQ9407EY, SQ9945BEY, SQA410EJ, SQD07N25-350H, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6