Справочник MOSFET. SQ7415AENW

 

SQ7415AENW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ7415AENW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8W

 Аналог (замена) для SQ7415AENW

 

 

SQ7415AENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  vishay
 sq7415aenw.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7415AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8WRDS(on) () at VGS = -10 V 0.065package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.090 AEC-Q101 qualifiedID (A) -16 Wettable flank terminalsConfiguration Singl

 5.1. Size:560K  vishay
 sq7415aen.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7415AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.090- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 16 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % R

 8.1. Size:550K  vishay
 sq7415en.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7415ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.110- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 5.7 Fast SwitchingConfiguration Single AEC-Q101 Qualified

 9.1. Size:614K  vishay
 sq7414aen.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

 9.2. Size:229K  vishay
 sq7414cenw.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7414CENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 DD77DD66package with 1.07 mm profile55 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified1122 Wettable flank terminalsSS3

 9.3. Size:210K  vishay
 sq7414aenw.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7414AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.023package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimizedID (A) 18 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC

 9.4. Size:547K  vishay
 sq7414en.pdf

SQ7415AENW SQ7415AENW

SQ7414ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.025Package with 1.07 mm ProfileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM OptimizedID (A) 5.6 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % R

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top