Справочник MOSFET. SQ7415AENW

 

SQ7415AENW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ7415AENW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8W
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ7415AENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  vishay
 sq7415aenw.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7415AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8WRDS(on) () at VGS = -10 V 0.065package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.090 AEC-Q101 qualifiedID (A) -16 Wettable flank terminalsConfiguration Singl

 5.1. Size:560K  vishay
 sq7415aen.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7415AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.090- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 16 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % R

 8.1. Size:550K  vishay
 sq7415en.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7415ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.110- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 5.7 Fast SwitchingConfiguration Single AEC-Q101 Qualified

 9.1. Size:614K  vishay
 sq7414aen.pdf pdf_icon

SQ7415AENW

SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDW254P | IXFC80N10

 

 
Back to Top

 


 
.