Справочник MOSFET. SQA410EJ

 

SQA410EJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQA410EJ
   Маркировка: QA*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 13.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 80 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6L

 Аналог (замена) для SQA410EJ

 

 

SQA410EJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
 sqa410ej.pdf

SQA410EJ SQA410EJ

SQA410EJwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 Qualified dRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS TestedID (A) 7.8

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top