SQA410EJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQA410EJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SC70-6L

Аналог (замена) для SQA410EJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQA410EJ даташит

 ..1. Size:201K  vishay
 sqa410ej.pdf pdf_icon

SQA410EJ

SQA410EJ www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.028 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 Qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 7.8

Другие IGBT... SQ7414AEN, SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, SQ7415AENW, SQ7415EN, SQ9407EY, SQ9945BEY, NCEP15T14, SQD07N25-350H, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6, SQD100N04-3M6L, SQD10N30-330H, SQD15N06-42L, SQD19P06-60L