Справочник MOSFET. SQA410EJ

 

SQA410EJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQA410EJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6L
 

 Аналог (замена) для SQA410EJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQA410EJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
 sqa410ej.pdf pdf_icon

SQA410EJ

SQA410EJwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 Qualified dRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS TestedID (A) 7.8

Другие MOSFET... SQ7414AEN , SQ7414AENW , SQ7414EN , SQ7415AEN , SQ7415AENW , SQ7415EN , SQ9407EY , SQ9945BEY , IRFP450 , SQD07N25-350H , SQD100N03-3M2L , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L .

History: BF1107 | IXTH36N50P | SUM85N15-19 | SWP058R06E7T | IXTA200N055T2 | PMN30UN | DHS020N88

 

 
Back to Top

 


 
.