Справочник MOSFET. SQA410EJ

 

SQA410EJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQA410EJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQA410EJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
 sqa410ej.pdf pdf_icon

SQA410EJ

SQA410EJwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 Qualified dRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS TestedID (A) 7.8

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KIA840S-252 | APT8024B2VFR | 2SK3572-Z | TSM2301CX | IXFP22N65X2M | IRFF212 | MTC3588BDFA6

 

 
Back to Top

 


 
.