Справочник MOSFET. SQD07N25-350H

 

SQD07N25-350H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQD07N25-350H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQD07N25-350H

 

 

SQD07N25-350H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
 sqd07n25-350h.pdf

SQD07N25-350H SQD07N25-350H

SQD07N25-350Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 250 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.350 AEC-Q101 QualifieddID (A) 7 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:DTO-252For definitions of comp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top