Справочник MOSFET. SQD07N25-350H

 

SQD07N25-350H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD07N25-350H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD07N25-350H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD07N25-350H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
 sqd07n25-350h.pdf pdf_icon

SQD07N25-350H

SQD07N25-350Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 250 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.350 AEC-Q101 QualifieddID (A) 7 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:DTO-252For definitions of comp

Другие MOSFET... SQ7414AENW , SQ7414EN , SQ7415AEN , SQ7415AENW , SQ7415EN , SQ9407EY , SQ9945BEY , SQA410EJ , IRFP250 , SQD100N03-3M2L , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L , SQD23N06-31L .

 

 
Back to Top

 


 
.