SQD07N25-350H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQD07N25-350H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD07N25-350H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD07N25-350H даташит

 ..1. Size:169K  vishay
 sqd07n25-350h.pdf pdf_icon

SQD07N25-350H

SQD07N25-350H www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 250 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.350 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 7 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization D TO-252 For definitions of comp

Другие IGBT... SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, SQ7415AENW, SQ7415EN, SQ9407EY, SQ9945BEY, SQA410EJ, AON7506, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6, SQD100N04-3M6L, SQD10N30-330H, SQD15N06-42L, SQD19P06-60L, SQD23N06-31L