SQD100N04-3M6L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SQD100N04-3M6L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SQD100N04-3M6L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQD100N04-3M6L даташит
sqd100n04-3m6l.pdf
SQD100N04-3m6L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0042 AEC-Q101 qualified d ID (A) 100 Configuration Single Material categorization
sqd100n04-3m6.pdf
SQD100N04-3m6 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0036 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 100 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single Material categorization TO-252 For definitions of compli
sqd100n03-3m4.pdf
SQD100N03-3m4 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 100 Material categorization Configuration Single For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-2
sqd100n03-3m2l.pdf
SQD100N03-3m2L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS Tested VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0032 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0039 For definitions of compliance please see ID (A) 100 www.vishay.com/doc?
Другие IGBT... SQ7415EN, SQ9407EY, SQ9945BEY, SQA410EJ, SQD07N25-350H, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6, AO4407, SQD10N30-330H, SQD15N06-42L, SQD19P06-60L, SQD23N06-31L, SQD25N06-22L, SQD25N15-52, SQD30N05-20L, SQD35N05-26L
History: SQD19P06-60L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor




