Справочник MOSFET. SQD30N05-20L

 

SQD30N05-20L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD30N05-20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD30N05-20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
 sqd30n05-20l.pdf pdf_icon

SQD30N05-20L

SQD30N05-20Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 55 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 Material categorization:ID (A) 30For definitions of compliance please see Configuration Single

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHFU1N60A | SIHB20N50E | FTP11N08 | 2N65L-TF3T-T | 4N60L-TF1-T | DK64N90 | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.