Справочник MOSFET. SQD30N05-20L

 

SQD30N05-20L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQD30N05-20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 203 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQD30N05-20L

 

 

SQD30N05-20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
 sqd30n05-20l.pdf

SQD30N05-20L SQD30N05-20L

SQD30N05-20Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 55 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 Material categorization:ID (A) 30For definitions of compliance please see Configuration Single

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top