SQD30N05-20L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQD30N05-20L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD30N05-20L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD30N05-20L даташит

 ..1. Size:173K  vishay
 sqd30n05-20l.pdf pdf_icon

SQD30N05-20L

SQD30N05-20L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 55 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.026 Material categorization ID (A) 30 For definitions of compliance please see Configuration Single

Другие IGBT... SQD100N04-3M6, SQD100N04-3M6L, SQD10N30-330H, SQD15N06-42L, SQD19P06-60L, SQD23N06-31L, SQD25N06-22L, SQD25N15-52, 5N60, SQD35N05-26L, SQD40N04-10A, SQD40N06-14L, SQD40N10-25, SQD40P10-40L, SQD45P03-12, SQD50N02-04L, SQD50N03-06P