Справочник MOSFET. SQD40N10-25

 

SQD40N10-25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQD40N10-25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQD40N10-25

 

 

SQD40N10-25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
 sqd40n10-25.pdf

SQD40N10-25 SQD40N10-25

SQD40N10-25www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.025 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.029 AEC-Q101 QualifiedID (A) 40 Material categorization:Configuration Single

 8.1. Size:170K  vishay
 sqd40n06-14l.pdf

SQD40N10-25 SQD40N10-25

SQD40N06-14Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.017 100 % Rg and UIS TestedID (A) 40 Material categorization:Configuration Single

 8.2. Size:167K  vishay
 sqd40n04-10a.pdf

SQD40N10-25 SQD40N10-25

SQD40N04-10Awww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 42 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single

 8.3. Size:151K  vishay
 sqd40n04.pdf

SQD40N10-25 SQD40N10-25

SQD40N04-10AVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 42 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to Ro

 8.4. Size:1347K  cn vbsemi
 sqd40n06-14.pdf

SQD40N10-25 SQD40N10-25

SQD40N06-14www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top