SQD50N04-4M5L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQD50N04-4M5L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD50N04-4M5L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50N04-4M5L даташит

 ..1. Size:167K  vishay
 sqd50n04-4m5l.pdf pdf_icon

SQD50N04-4M5L

SQD50N04-4m5L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0035 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0042 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 50 Material categorization Configuration Single

 3.1. Size:170K  vishay
 sqd50n04-4m1.pdf pdf_icon

SQD50N04-4M5L

SQD50N04-4m1 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0041 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization For definitions of compliance please s

 5.1. Size:166K  vishay
 sqd50n04-09h.pdf pdf_icon

SQD50N04-4M5L

SQD50N04-09H www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 50 Package with Low Thermal Resistance Configuration Single 100 % Rg and UIS Tested D AEC-Q101 Qualifiedd TO-252

 5.2. Size:158K  vishay
 sqd50n04-5m6.pdf pdf_icon

SQD50N04-4M5L

SQD50N04-5m6 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0056 AEC-Q101 Qualified ID (A) 50 100 % Rg and UIS Tested Material categorization Configuration Single For definitions of compliance please se

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQD45P03-12, SQD50N02-04L, SQD50N03-06P, SQD50N03-09, SQD50N03-4M0L, SQD50N04-09H, SQD50N04-3M5L, SQD50N04-4M1, AO3400A, SQD50N04-5M0, SQD50N04-5M6, SQD50N05-11L, SQD50N06-07L, SQD50N06-09L, SQD50N10-8M9L, SQD50N30-4M0L, SQD50P03-07