Справочник MOSFET. SQD50N05-11L

 

SQD50N05-11L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD50N05-11L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50N05-11L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
sqd50n05-11l.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N05-11Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 50 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 50 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.011 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 Material categorization:Configuration Single

 7.1. Size:105K  vishay
sqd50n03-4m0l.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N03-4m0Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0031 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0040 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please seeConfiguration Single

 7.2. Size:166K  vishay
sqd50n04-09h.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N04-09Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETID (A) 50 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedD AEC-Q101 QualifieddTO-252

 7.3. Size:171K  vishay
sqd50n03-06p.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N03-06Pwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please see Configuration Singl

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STD17NF03L-1 | NVMFS5C628N | SQM120N10-09 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.