Справочник MOSFET. SQD50N05-11L

 

SQD50N05-11L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD50N05-11L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD50N05-11L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50N05-11L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
sqd50n05-11l.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N05-11Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 50 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 50 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.011 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 Material categorization:Configuration Single

 7.1. Size:105K  vishay
sqd50n03-4m0l.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N03-4m0Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0031 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0040 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please seeConfiguration Single

 7.2. Size:166K  vishay
sqd50n04-09h.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N04-09Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETID (A) 50 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedD AEC-Q101 QualifieddTO-252

 7.3. Size:171K  vishay
sqd50n03-06p.pdfpdf_icon

SQD50N05-11L

SQD50N03-06Pwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please see Configuration Singl

Другие MOSFET... SQD50N03-09 , SQD50N03-4M0L , SQD50N04-09H , SQD50N04-3M5L , SQD50N04-4M1 , SQD50N04-4M5L , SQD50N04-5M0 , SQD50N04-5M6 , NCEP15T14 , SQD50N06-07L , SQD50N06-09L , SQD50N10-8M9L , SQD50N30-4M0L , SQD50P03-07 , SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L .

History: ZXMN10A09KTC | SQD50N03-06P

 

 
Back to Top

 


 
.