SQD50P03-07 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQD50P03-07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 766 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SQD50P03-07
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQD50P03-07 даташит
sqd50p03-07.pdf
SQD50P03-07 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.007 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.011 Material categorization ID (A) - 50 For definitions of compliance please see Configuration
sqd50p06-15l.pdf
SQD50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0155 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 Qualified ID (A) - 50 Material categorization Configuration
sqd50p04-09l.pdf
SQD50P04-09L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0094 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0190 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 50 100 % Rg and UIS Tested Configuratio
sqd50p08-25l.pdf
SQD50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 Material categorization ID (A) - 50 For definitions of compliance please see Configuratio
Другие IGBT... SQD50N04-4M5L, SQD50N04-5M0, SQD50N04-5M6, SQD50N05-11L, SQD50N06-07L, SQD50N06-09L, SQD50N10-8M9L, SQD50N30-4M0L, IRLB3034, SQD50P04-09L, SQD50P04-13L, SQD50P06-15L, SQD50P08-25L, SQD50P08-28, SQD90P04-9M4L, SQD97N06-6M3L, SQJ401EP
History: SIHFU9014 | SIHFU9012
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140







