SQD50P03-07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQD50P03-07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 766 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD50P03-07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50P03-07 даташит

 ..1. Size:170K  vishay
sqd50p03-07.pdfpdf_icon

SQD50P03-07

SQD50P03-07 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.007 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.011 Material categorization ID (A) - 50 For definitions of compliance please see Configuration

 7.1. Size:163K  vishay
sqd50p06-15l.pdfpdf_icon

SQD50P03-07

SQD50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0155 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 Qualified ID (A) - 50 Material categorization Configuration

 7.2. Size:169K  vishay
sqd50p04-09l.pdfpdf_icon

SQD50P03-07

SQD50P04-09L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0094 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0190 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 50 100 % Rg and UIS Tested Configuratio

 7.3. Size:177K  vishay
sqd50p08-25l.pdfpdf_icon

SQD50P03-07

SQD50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 Material categorization ID (A) - 50 For definitions of compliance please see Configuratio

Другие IGBT... SQD50N04-4M5L, SQD50N04-5M0, SQD50N04-5M6, SQD50N05-11L, SQD50N06-07L, SQD50N06-09L, SQD50N10-8M9L, SQD50N30-4M0L, IRLB3034, SQD50P04-09L, SQD50P04-13L, SQD50P06-15L, SQD50P08-25L, SQD50P08-28, SQD90P04-9M4L, SQD97N06-6M3L, SQJ401EP