SQD50P03-07
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQD50P03-07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 50
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 97
nC
trⓘ -
Время нарастания: 12
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 766
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007
Ohm
Тип корпуса:
TO-252
Аналог (замена) для SQD50P03-07
SQD50P03-07
Datasheet (PDF)
..1. Size:170K vishay
sqd50p03-07.pdf 
SQD50P03-07www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.007 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.011 Material categorization:ID (A) - 50For definitions of compliance please see Configuration
7.1. Size:163K vishay
sqd50p06-15l.pdf 
SQD50P06-15Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0155 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 QualifiedID (A) - 50 Material categorization:Configuration
7.2. Size:169K vishay
sqd50p04-09l.pdf 
SQD50P04-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0094 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0190 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguratio
7.3. Size:177K vishay
sqd50p08-25l.pdf 
SQD50P08-25Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 80 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.031 Material categorization:ID (A) - 50For definitions of compliance please see Configuratio
7.4. Size:194K vishay
sqd50p08-28.pdf 
SQD50P08-28Vishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 80DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.028 TrenchFET Power MOSFETID (A) - 48 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedSTO-252 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECGDrain
7.5. Size:167K vishay
sqd50p04-13l.pdf 
SQD50P04-13Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.013 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.022 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration
7.6. Size:1409K cn vbsemi
sqd50p06-15l.pdf 
SQD50P06-15Lwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.020 at VGS = - 10 V - 50- 600.025 at VGS = - 4.5 V - 45APPLICATIONS Load SwitchTO-252SGDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
