Справочник MOSFET. SQD50P04-09L

 

SQD50P04-09L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD50P04-09L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 852 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50P04-09L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
sqd50p04-09l.pdfpdf_icon

SQD50P04-09L

SQD50P04-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0094 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0190 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguratio

 5.1. Size:167K  vishay
sqd50p04-13l.pdfpdf_icon

SQD50P04-09L

SQD50P04-13Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.013 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.022 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration

 7.1. Size:163K  vishay
sqd50p06-15l.pdfpdf_icon

SQD50P04-09L

SQD50P06-15Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0155 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 QualifiedID (A) - 50 Material categorization:Configuration

 7.2. Size:177K  vishay
sqd50p08-25l.pdfpdf_icon

SQD50P04-09L

SQD50P08-25Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 80 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.031 Material categorization:ID (A) - 50For definitions of compliance please see Configuratio

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF150C | SQJ460AEP | IRLI620G | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.