SQD50P08-28 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQD50P08-28
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SQD50P08-28
SQD50P08-28 Datasheet (PDF)
sqd50p08-28.pdf

SQD50P08-28Vishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 80DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.028 TrenchFET Power MOSFETID (A) - 48 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedSTO-252 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECGDrain
sqd50p08-25l.pdf

SQD50P08-25Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 80 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.031 Material categorization:ID (A) - 50For definitions of compliance please see Configuratio
sqd50p06-15l.pdf

SQD50P06-15Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0155 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 QualifiedID (A) - 50 Material categorization:Configuration
sqd50p04-09l.pdf

SQD50P04-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0094 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0190 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguratio
Другие MOSFET... SQD50N06-09L , SQD50N10-8M9L , SQD50N30-4M0L , SQD50P03-07 , SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L , SQD50P08-25L , 2SK3918 , SQD90P04-9M4L , SQD97N06-6M3L , SQJ401EP , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP .
History: TPB65R135MFD | TPD80R900M | LSE55R140GT | QM2411J | YJS2301A | AP86T03GJ | DMP4015SPS
History: TPB65R135MFD | TPD80R900M | LSE55R140GT | QM2411J | YJS2301A | AP86T03GJ | DMP4015SPS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet