SQJ840EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ840EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ840EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ840EP даташит

 ..1. Size:147K  vishay
 sqj840ep.pdf pdf_icon

SQJ840EP

SQJ840EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0093 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0138 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 30 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoH

 9.1. Size:220K  vishay
 sqj844aep.pdf pdf_icon

SQJ840EP

SQJ844AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0166 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0276 Material categorization ID (A) per leg 8 for definitions of compliance please Configuration Dual

 9.2. Size:178K  vishay
 sqj848aep.pdf pdf_icon

SQJ840EP

SQJ848AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0076 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization ID (A) 24 For definitions of compliance please see Configuration Single www

 9.3. Size:190K  vishay
 sqj848ep.pdf pdf_icon

SQJ840EP

SQJ848EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0120 Material categorization ID (A) 47 For definitions of compliance please see Configuration Single www.v

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP, SQJ469EP, SQJ486EP, SQJ488EP, SQJ500AEP, IRFB4110, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP