Справочник MOSFET. SQJ840EP

 

SQJ840EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJ840EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

 Аналог (замена) для SQJ840EP

 

 

SQJ840EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  vishay
 sqj840ep.pdf

SQJ840EP SQJ840EP

SQJ840EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0093 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0138 AEC-Q101 QualifieddID (A) 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoH

 9.1. Size:220K  vishay
 sqj844aep.pdf

SQJ840EP SQJ840EP

SQJ844AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0166 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0276 Material categorization:ID (A) per leg 8for definitions of compliance pleaseConfiguration Dual

 9.2. Size:178K  vishay
 sqj848aep.pdf

SQJ840EP SQJ840EP

SQJ848AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization:ID (A) 24For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww

 9.3. Size:190K  vishay
 sqj848ep.pdf

SQJ840EP SQJ840EP

SQJ848EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120 Material categorization:ID (A) 47For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v

 9.4. Size:151K  vishay
 sqj844ep.pdf

SQJ840EP SQJ840EP

SQJ844EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.037 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top