SQJ886EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ886EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ886EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ886EP даташит

 ..1. Size:170K  vishay
 sqj886ep.pdf pdf_icon

SQJ886EP

SQJ886EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0045 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0055 Material categorization ID (A) 60 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

 9.1. Size:178K  vishay
 sqj884ep.pdf pdf_icon

SQJ886EP

SQJ884EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.008 Material categorization ID (A) 32 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vi

Другие IGBT... SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP, 2N7000, SQJ910AEP, SQJ912AEP, SQJ912EP, SQJ940EP, SQJ941EP, SQJ942EP, SQJ951EP, SQJ952EP