SQJ910AEP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQJ910AEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
Аналог (замена) для SQJ910AEP
SQJ910AEP Datasheet (PDF)
sqj910aep.pdf

SQJ910AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization:ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configura
sqj912bep.pdf

SQJ912BEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization:D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
sqj912ep.pdf

SQJ912EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfigurati
sqj914ep.pdf

SQJ914EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D21 G21Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA
Другие MOSFET... SQJ844EP , SQJ848AEP , SQJ848EP , SQJ850EP , SQJ858AEP , SQJ858EP , SQJ884EP , SQJ886EP , IRFB4115 , SQJ912AEP , SQJ912EP , SQJ940EP , SQJ941EP , SQJ942EP , SQJ951EP , SQJ952EP , SQJ960EP .
History: BLM08P02-R
History: BLM08P02-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1566AKQ | JMSH1566AK | JMSH1566AG | JMSH1565AUS | JMSH1565APS | JMSH1565AKSQ | JMSH1565AKS | JMSH1565AGS | JMSH1552PU | JMSH1552PP | JMSH1552PK | JMSH1552PG | JMSH1552AU | JMSH1552AP | JMSH1552AK | JMSH1552AG
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941