SQJ912EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ912EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ912EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ912EP даташит

 ..1. Size:175K  vishay
 sqj912ep.pdf pdf_icon

SQJ912EP

SQJ912EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested ID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configurati

 8.1. Size:269K  vishay
 sqj912bep.pdf pdf_icon

SQJ912EP

SQJ912BEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 D1 1 G2 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY

 8.2. Size:169K  vishay
 sqj912aep.pdf pdf_icon

SQJ912EP

SQJ912AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0093 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0111 Material categorization ID (A) per leg 30 For definitions of compliance please see Configu

 9.1. Size:265K  vishay
 sqj914ep.pdf pdf_icon

SQJ912EP

SQJ914EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 D1 D2 1 G2 1 Top View Bottom View PRODUCT SUMMA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP, SQJ886EP, SQJ910AEP, SQJ912AEP, 7N65, SQJ940EP, SQJ941EP, SQJ942EP, SQJ951EP, SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP