SQJ970EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ970EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ970EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ970EP даташит

 ..1. Size:151K  vishay
 sqj970ep.pdf pdf_icon

SQJ970EP

SQJ970EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.020 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.028 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Compliant

Другие IGBT... SQJ942EP, SQJ951EP, SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP, AO3401, SQJ980AEP, SQJ980EP, SQJ992EP, SQJQ402E, SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN