Справочник MOSFET. SQJ970EP

 

SQJ970EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ970EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ970EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ970EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  vishay
 sqj970ep.pdf pdf_icon

SQJ970EP

SQJ970EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant

Другие MOSFET... SQJ942EP , SQJ951EP , SQJ952EP , SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , AO3400 , SQJ980AEP , SQJ980EP , SQJ992EP , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN .

History: US6M11

 

 
Back to Top

 


 
.