SQJQ402E - аналоги и даташиты транзистора

 

SQJQ402E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQJQ402E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK8X8L
 

 Аналог (замена) для SQJQ402E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJQ402E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
 sqjq402e.pdf pdf_icon

SQJQ402E

SQJQ402Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0020 Thin 1.9 mm heightID (A) 200Configuration Single Material categorization: for definitions of comp

Другие MOSFET... SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , SQJ980EP , SQJ992EP , IRF9540N , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN , SQS423EN , SQS460EN .

 

 
Back to Top

 


 
.