SQJQ402E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJQ402E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK8X8L

Аналог (замена) для SQJQ402E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJQ402E даташит

 ..1. Size:155K  vishay
 sqjq402e.pdf pdf_icon

SQJQ402E

SQJQ402E www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0020 Thin 1.9 mm height ID (A) 200 Configuration Single Material categorization for definitions of comp

Другие IGBT... SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP, SQJ970EP, SQJ980AEP, SQJ980EP, SQJ992EP, SPP20N60C3, SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN, SQS405ENW, SQS420EN, SQS423EN, SQS460EN