Справочник MOSFET. SQS482EN

 

SQS482EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS482EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS482EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  vishay
 sqs482en.pdf pdf_icon

SQS482EN

SQS482ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vi

 0.1. Size:226K  vishay
 sqs482enw.pdf pdf_icon

SQS482EN

SQS482ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W SingleD TrenchFET power MOSFETD8DD7 AEC-Q101 qualified d7DD6655 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33SSD44SS

 9.1. Size:561K  vishay
 sqs484en.pdf pdf_icon

SQS482EN

SQS484ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

 9.2. Size:258K  vishay
 sqs481enw.pdf pdf_icon

SQS482EN

SQS481ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified d77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121122SS33 SSS44SS1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.