Справочник MOSFET. SQV120N10-3M8

 

SQV120N10-3M8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQV120N10-3M8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SQV120N10-3M8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQV120N10-3M8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  vishay
 sqv120n10-3m8.pdf pdf_icon

SQV120N10-3M8

SQV120N10-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 120 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:TO-262DFor definitions of comp

Другие MOSFET... SQS460EN , SQS462EN , SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , SQS850EN , IRFZ24N , SQV90N06-05 , SRADM1002 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , SRADM1008 .

History: VBM17R10 | NCE60H15AD | IXTQ26N50P | CS7N70F | STN442D | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.