SQV120N10-3M8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQV120N10-3M8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3070 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для SQV120N10-3M8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQV120N10-3M8 даташит

 ..1. Size:124K  vishay
 sqv120n10-3m8.pdf pdf_icon

SQV120N10-3M8

SQV120N10-3m8 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 100 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization TO-262 D For definitions of comp

Другие IGBT... SQS460EN, SQS462EN, SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, SQS484EN, SQS840EN, SQS850EN, TK10A60D, SQV90N06-05, SRADM1002, SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005, SRADM1006, SRADM1007, SRADM1008