Справочник MOSFET. SQV120N10-3M8

 

SQV120N10-3M8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQV120N10-3M8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3070 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQV120N10-3M8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  vishay
 sqv120n10-3m8.pdf pdf_icon

SQV120N10-3M8

SQV120N10-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 120 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:TO-262DFor definitions of comp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.