Справочник MOSFET. SQV90N06-05

 

SQV90N06-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQV90N06-05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SQV90N06-05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQV90N06-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  vishay
 sqv90n06-05.pdf pdf_icon

SQV90N06-05

SQV90N06-05www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.007 AEC-Q101 QualifieddID (A) 90 100 % Rg and UIS Tested

Другие MOSFET... SQS462EN , SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , SQS850EN , SQV120N10-3M8 , P60NF06 , SRADM1002 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , SRADM1008 , SRC11N65TC .

History: HM10P10Q | SRC60R360B | WPM2005B | NCEP15T18T

 

 
Back to Top

 


 
.