Справочник MOSFET. SQV90N06-05

 

SQV90N06-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQV90N06-05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQV90N06-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  vishay
 sqv90n06-05.pdf pdf_icon

SQV90N06-05

SQV90N06-05www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.007 AEC-Q101 QualifieddID (A) 90 100 % Rg and UIS Tested

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFP341R | NCE30P55L | IRC330 | R6524KNX | IRFP31N50L | PN4118 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.