SQV90N06-05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQV90N06-05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для SQV90N06-05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQV90N06-05 даташит

 ..1. Size:641K  vishay
 sqv90n06-05.pdf pdf_icon

SQV90N06-05

SQV90N06-05 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.005 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.007 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 90 100 % Rg and UIS Tested

Другие IGBT... SQS462EN, SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, SQS484EN, SQS840EN, SQS850EN, SQV120N10-3M8, AO4407, SRADM1002, SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005, SRADM1006, SRADM1007, SRADM1008, SRC11N65TC