SRADM1002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRADM1002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: LCC-28T

Аналог (замена) для SRADM1002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRADM1002 даташит

 ..1. Size:174K  sensitron
 sradm1002.pdf pdf_icon

SRADM1002

SENSITRON SRADM1002 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5311, REV. A HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD FEATURES Four 250 Volt, 0.36 Ohm, 4.4A RAD HARD MOSFETs Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range 90 m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad (Level R) Fast Switching

 6.1. Size:143K  sensitron
 sradm1007.pdf pdf_icon

SRADM1002

SENSITRON SRADM1007 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5405, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 55, Range 90 m VGS = -20V, VDS = 100V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-0.5 package Near equivalent to IRHNJ7130 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS AR

 6.2. Size:151K  sensitron
 sradm1004.pdf pdf_icon

SRADM1002

SENSITRON SRADM1004 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5399, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range 90 m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-2 package Near equivalent to IRHNA67260 MAXIMUM RAT

 6.3. Size:143K  sensitron
 sradm1005.pdf pdf_icon

SRADM1002

SRADM1005 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5403, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range 118 m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range 90 m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, SQS484EN, SQS840EN, SQS850EN, SQV120N10-3M8, SQV90N06-05, BS170, SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005, SRADM1006, SRADM1007, SRADM1008, SRC11N65TC, SRC11N65TF