SRADM1002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SRADM1002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: LCC-28T
Аналог (замена) для SRADM1002
SRADM1002 Datasheet (PDF)
sradm1002.pdf

SENSITRON SRADM1002 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5311, REV. A HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD FEATURES: Four 250 Volt, 0.36 Ohm, 4.4A RAD HARD MOSFETs Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad (Level R) Fast Switching
sradm1007.pdf

SENSITRON SRADM1007 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5405, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 55, Range: 90m VGS = -20V, VDS = 100V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-0.5 package Near equivalent to IRHNJ7130 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS AR
sradm1004.pdf

SENSITRON SRADM1004 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5399, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-2 package Near equivalent to IRHNA67260 MAXIMUM RAT
sradm1005.pdf

SRADM1005 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5403, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range: 118m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range: 90m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened,
Другие MOSFET... SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , SQS850EN , SQV120N10-3M8 , SQV90N06-05 , 18N50 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , SRADM1008 , SRC11N65TC , SRC11N65TF .
History: NCEP02580D
History: NCEP02580D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364