Справочник MOSFET. SRADM1002

 

SRADM1002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRADM1002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: LCC-28T
 

 Аналог (замена) для SRADM1002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRADM1002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  sensitron
sradm1002.pdfpdf_icon

SRADM1002

SENSITRON SRADM1002 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5311, REV. A HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET N-CHANNEL QUAD FEATURES: Four 250 Volt, 0.36 Ohm, 4.4A RAD HARD MOSFETs Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad (Level R) Fast Switching

 6.1. Size:143K  sensitron
sradm1007.pdfpdf_icon

SRADM1002

SENSITRON SRADM1007 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5405, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 55, Range: 90m VGS = -20V, VDS = 100V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-0.5 package Near equivalent to IRHNJ7130 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS AR

 6.2. Size:151K  sensitron
sradm1004.pdfpdf_icon

SRADM1002

SENSITRON SRADM1004 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5399, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-2 package Near equivalent to IRHNA67260 MAXIMUM RAT

 6.3. Size:143K  sensitron
sradm1005.pdfpdf_icon

SRADM1002

SRADM1005 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5403, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range: 118m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range: 90m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened,

Другие MOSFET... SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , SQS850EN , SQV120N10-3M8 , SQV90N06-05 , 18N50 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , SRADM1008 , SRC11N65TC , SRC11N65TF .

History: NCEP02580D

 

 
Back to Top

 


 
.