Справочник MOSFET. IXTH12N50MB

 

IXTH12N50MB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH12N50MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH12N50MB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH12N50MB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTH12N50MB

 5.1. Size:62K  ixys
 ixth12n50a ixtm12n50a.pdf pdf_icon

IXTH12N50MB

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH 12 N50A 500 V 12 A 0.4 Power MOSFETIXTM 12 N50A 500 V 12 A 0.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C12 AIDM TC

 5.2. Size:65K  ixys
 ixth12n45 ixth12n45a ixth12n50 ixtm12n45 ixtm12n45a ixtm12n50.pdf pdf_icon

IXTH12N50MB

 7.1. Size:175K  ixys
 ixtt12n150 ixth12n150.pdf pdf_icon

IXTH12N50MB

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETIXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH10P50 , IXTH11N80 , IXTH11P50 , IXTH12N100 , IXTH12N45MA , IXTH12N45MB , IXTH12N50A , IXTH12N50MA , AON7403 , IXTH12N90 , IXTH13N110 , IXTH13N80 , IXTH14N100 , IXTH14N80 , IXTH15N35MA , IXTH15N35MB , IXTH15N40MA .

History: IRFIB6N60A | HFF11N60S

 

 
Back to Top

 


 
.