SRC7N65D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRC7N65D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.572 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SRC7N65D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC7N65D1 даташит

 7.1. Size:512K  sanrise-tech
 src7n65.pdf pdf_icon

SRC7N65D1

Datasheet 7A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC7N65 General Description Symbol The Sanrise SRC7N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding effic

Другие IGBT... SRADM1007, SRADM1008, SRC11N65TC, SRC11N65TF, SRC4N65D1, SRC4N65DTR, SRC4N65TC, SRC4N65TF, IRF2807, SRC7N65DTR, SRC7N65TC, SRC7N65TF, SRK7002LT1G, SRM10N60TF, SRM10N60TC, SRM10N65TF, SRM10N65TC