Справочник MOSFET. SRC7N65D1

 

SRC7N65D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRC7N65D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.572 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SRC7N65D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC7N65D1 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:512K  sanrise-tech
 src7n65.pdf pdf_icon

SRC7N65D1

Datasheet 7A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC7N65General Description Symbol The Sanrise SRC7N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic

Другие MOSFET... SRADM1007 , SRADM1008 , SRC11N65TC , SRC11N65TF , SRC4N65D1 , SRC4N65DTR , SRC4N65TC , SRC4N65TF , IRFB31N20D , SRC7N65DTR , SRC7N65TC , SRC7N65TF , SRK7002LT1G , SRM10N60TF , SRM10N60TC , SRM10N65TF , SRM10N65TC .

 

 
Back to Top

 


 
.