Справочник MOSFET. SRC7N65TC

 

SRC7N65TC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SRC7N65TC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.572 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C

 Аналог (замена) для SRC7N65TC

 

 

SRC7N65TC Datasheet (PDF)

 7.1. Size:512K  sanrise-tech
 src7n65.pdf

SRC7N65TC SRC7N65TC

Datasheet 7A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC7N65General Description Symbol The Sanrise SRC7N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top