SRK7002LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRK7002LT1G
Маркировка: RK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.115 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для SRK7002LT1G
SRK7002LT1G Datasheet (PDF)
srk7002lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.SRK7002LT1GSmall Signal MOSFETS-SRK7002LT1GSilicon N-Channel3 Features11) Low on-resistance.22) Fast switching speed.3) Low-voltage drive.SOT-23 (TO-236AB)4) Easily designed drive circuits.5) Easy to parallel.6) Pb-Free package is available.3d7) ESD Protected:2000V8) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu
ssrk7002lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT SSRK7002LT1GMODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 3Low On-Resistance Fast Switching Speed 1Low-voltage drive 2Easily designed drive circuits SOT-23Pb-Free Package is available. The suffix G means Pb-free package 3ESD Protected:1000VOrdering Information(Pb-free) 1Device Marking Shipping SSRK7002LT1G RS 30
srk7002lt1.pdf
FM120-M WILLASTHRUSRK7002LT1Small Signal MOSFET BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSilicon N-ChannelFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKYSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to o
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SMG2310A
