Справочник MOSFET. IXTH13N110

 

IXTH13N110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH13N110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.92 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH13N110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH13N110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  ixys
 ixth13n110.pdf pdf_icon

IXTH13N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

 7.1. Size:98K  ixys
 ixth11n80 ixtm11n80 ixth13n80 ixtm13n80.pdf pdf_icon

IXTH13N110

VDSS ID25 RDS(on)IXTH / IXTM 11N80 800 V 11 A 0.95 MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 13N80 800 V 13 A 0.80 N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 11N80 11

 8.1. Size:142K  ixys
 ixth130n10t ixtq130n10t.pdf pdf_icon

IXTH13N110

VDSS = 100VIXTH130N10TTrenchMVTMID25 = 130AIXTQ130N10TPower MOSFET RDS(on) 9.1m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 100 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSM Transient 20 VTO-3P (IXTQ)ID25 TC = 25C 130 AILRMS Lead C

 8.2. Size:126K  ixys
 ixth130n20t.pdf pdf_icon

IXTH13N110

Preliminary Technical InformationIXTH130N20T VDSS = 200VTrenchHVTMID25 = 130APower MOSFET RDS(on) 16m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247VDSS TJ = 25C to 175C 200 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1M 200 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 130 AILRMS Lead Current Limit, RMS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH11P50 , IXTH12N100 , IXTH12N45MA , IXTH12N45MB , IXTH12N50A , IXTH12N50MA , IXTH12N50MB , IXTH12N90 , EMB04N03H , IXTH13N80 , IXTH14N100 , IXTH14N80 , IXTH15N35MA , IXTH15N35MB , IXTH15N40MA , IXTH15N40MB , IXTH15N60 .

History: SDU02N25

 

 
Back to Top

 


 
.