Справочник MOSFET. SRM6N60D1

 

SRM6N60D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRM6N60D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.86 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SRM6N60D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM6N60D1 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:244K  sanrise-tech
 srm6n60.pdf pdf_icon

SRM6N60D1

Datasheet 6A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM6N60General Description Symbol The Sanrise SRM6N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM6N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high

 9.1. Size:171K  sanrise-tech
 srm6n70.pdf pdf_icon

SRM6N60D1

Datasheet 6A, 700V, N-Channel Power MOSFET SRM6N70General Description Symbol The Sanrise SRM6N70 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM6N70 break down voltage rating is 700V, which leads the system has enough margin in some sensitive application. It has a high rugged a

Другие MOSFET... SRM4N60DTR , SRM4N60U , SRM4N60TF , SRM4N65D1 , SRM4N65DTR , SRM4N65U , SRM4N65TF , SRM4N70 , HY1906P , SRM6N60DTR , SRM6N60TF , SRM6N70 , SRM7N60 , SRM7N65 , SRM7N65D1-E1 , SRM7N65DTR-E1 , SRM7N65TF-E1 .

History: HYG009N04LS1C2 | IRF7455TR | 2SK1850 | PJM2302NSA-S | EMB07N03HR | SSR1N60BTM

 

 
Back to Top

 


 
.