ST12N10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST12N10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ST12N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST12N10D даташит

 ..1. Size:572K  stansontech
 st12n10d.pdf pdf_icon

ST12N10D

ST12N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 12.0A DESCRIPTION ST12N10D is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST12N10D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

 ..2. Size:905K  cn vbsemi
 st12n10d.pdf pdf_icon

ST12N10D

ST12N10D www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... SS07N70, SSD80N03, SSFM2506L, SSFM2508, ST1002, ST1004SRG, ST1005SRG, ST10E4, IRFB4110, ST13P10, ST2300, ST2300SRG, ST2301A, ST2302, ST2303SRG, ST2304, ST2304SRG