ST2301A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ST2301A
Маркировка: S01YA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.8 nC
Время нарастания (tr): 36 ns
Выходная емкость (Cd): 223 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
ST2301A Datasheet (PDF)
st2301a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ST2301A P Channel Enhancement Mode MOSFET -3.2A DESCRIPTION ST2301A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and not
wst2301a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WST2301A P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST2301A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -20V 140m -2.5Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST2301A meet the RoHS and Green Product requirement with full
jst2301h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JST2301H-20V,-3AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 110m @VGS=-4.5VRDS(ON) 140m @VGS=-2.5VAPPLICATIONSLoad Switch for Portable DevicesDC/DC ConverterMARKING P-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage V 12GSI -3DContinuous Drain CurrentAPulse
wst2301.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WST2301 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST2301 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -20V 100m -2.9Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST2301 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![ST2301A](https://alltransistors.com/images/us.png)
![ST2301A](https://alltransistors.com/images/es.png)
![ST2301A](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C