SUD19P06-60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUD19P06-60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUD19P06-60 Datasheet (PDF)
sud19p06-60.pdf

SUD19P06-60Vishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.060 at VGS = - 10 V - 19 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for F
sud19p06-60.pdf

SUD19P06-60www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge
sud19p06-60l.pdf

New ProductSUD19P06-60LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.060 at VGS = - 10 V - 19RoHS- 60 26COMPLIANT 0.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8TO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD19P06-60L-E3 (L
sud19p06.pdf

New ProductSUD19P06-60Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.060 at VGS = - 10 V - 19RoHS- 60 26COMPLIANT 0.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8APPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge Converter DC/DC Converter for LCD DisplayTO-252SGD
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: MTB02N03Q8 | TMAN8N80 | FS3415K | IPI80P03P4L-04 | IRF3707SPBF | BL4N150-B | VBZL45N03
History: MTB02N03Q8 | TMAN8N80 | FS3415K | IPI80P03P4L-04 | IRF3707SPBF | BL4N150-B | VBZL45N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238