SUD19P06-60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUD19P06-60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUD19P06-60
SUD19P06-60 Datasheet (PDF)
sud19p06-60.pdf

SUD19P06-60Vishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.060 at VGS = - 10 V - 19 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for F
sud19p06-60.pdf

SUD19P06-60www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge
sud19p06-60l.pdf

New ProductSUD19P06-60LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.060 at VGS = - 10 V - 19RoHS- 60 26COMPLIANT 0.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8TO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD19P06-60L-E3 (L
sud19p06.pdf

New ProductSUD19P06-60Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.060 at VGS = - 10 V - 19RoHS- 60 26COMPLIANT 0.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8APPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge Converter DC/DC Converter for LCD DisplayTO-252SGD
Другие MOSFET... SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , SUD17N25-165 , SUD19N20-90 , IRFP450 , SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 , SUD25N15-52 , SUD35N05-26L .
History: 2SK1829 | AON4803 | 2N7243 | SDF230JAA | RVQ040N05 | RUR020N02 | SUD42N03-3M9P
History: 2SK1829 | AON4803 | 2N7243 | SDF230JAA | RVQ040N05 | RUR020N02 | SUD42N03-3M9P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238