Справочник MOSFET. SUD20N10-66L

 

SUD20N10-66L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD20N10-66L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD20N10-66L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  vishay
 sud20n10-66l.pdf pdf_icon

SUD20N10-66L

SUD20N10-66LVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.066 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:100 19.8For definitions of compliance please see0.080 at VGS = 4.5 V 13.2www.vishay.com/doc?99912TO-252APPLICATIONSD DC/DC Conv

 9.1. Size:173K  vishay
 sud20p15-306.pdf pdf_icon

SUD20N10-66L

SUD20P15-306Vishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.306 at VGS = - 10 V - 8.1 Material categorization:For definitions of compliance please see0.312 at VGS = - 8 V - 8- 150 6.2www.vishay.com/doc?999120.335 at VGS = - 6 V - 7.7APPLICATIO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFH30N50 | STU802S | 2SK3572-Z | SI8810 | IRFI4510G | NTGS3443T1G | BL12N60-P

 

 
Back to Top

 


 
.