SUD20N10-66L - описание и поиск аналогов

 

SUD20N10-66L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUD20N10-66L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SUD20N10-66L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD20N10-66L даташит

 ..1. Size:163K  vishay
 sud20n10-66l.pdf pdf_icon

SUD20N10-66L

SUD20N10-66L Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.066 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 100 19.8 For definitions of compliance please see 0.080 at VGS = 4.5 V 13.2 www.vishay.com/doc?99912 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Conv

 9.1. Size:173K  vishay
 sud20p15-306.pdf pdf_icon

SUD20N10-66L

SUD20P15-306 Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.306 at VGS = - 10 V - 8.1 Material categorization For definitions of compliance please see 0.312 at VGS = - 8 V - 8 - 150 6.2 www.vishay.com/doc?99912 0.335 at VGS = - 6 V - 7.7 APPLICATIO

Другие MOSFET... SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , SUD17N25-165 , SUD19N20-90 , SUD19P06-60 , SUD19P06-60L , 4N60 , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 , SUD25N15-52 , SUD35N05-26L , SUD35N10-26P , SUD40N02-08 .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.