Справочник MOSFET. IXTH15N60

 

IXTH15N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH15N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH15N60

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 7.1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTH15N60

 7.2. Size:148K  ixys
 ixth15n70.pdf pdf_icon

IXTH15N60

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

 7.3. Size:65K  ixys
 ixth15n45a ixth15n50a ixtm15n45a ixtm15n50a.pdf pdf_icon

IXTH15N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTGD4167C | OSG60R092PT3ZF | 2SK3596-01L | 2SK1409 | TPCP8002 | 2SJ683 | QM4301D

 

 
Back to Top

 


 
.