SUD50N024-09P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUD50N024-09P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 22 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUD50N024-09P Datasheet (PDF)
sud50n024-09p.pdf

SUD50N024-09PVishay SiliconixN-Channel 22-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Junction TemperatureVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)dD PWM Optimized for High Efficiency0.0095 @ VGS = 10 V 4924c24cAPPLICATIONS0.017 @ VGS = 4.5 V 36D High-Side Synchronous Buck DC/DCDConversionTO-252- Desktop- ServerGDrain Connected to Tab
sud50n024-06p.pdf

SUD50N024-06PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 22-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)d D 175_C Junction TemperatureD PWM Optimized for High Efficiency0.006 @ VGS = 10 V 8024C24CAPPLICATIONS0.0095 @ VGS = 4.5 V 64D Synchronous Buck DC/DC Conversion- DesktopD - ServerTO-252GDrain Connected to Tab
sud50n02-04p.pdf

SUD50N02-04PVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction Temperature0.0043 at VGS = 10 V 34 PWM Optimized for High Efficiency200.006 at VGS = 4.5 V 28 Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912TO-25
sud50n025-09bp.pdf

SUD50N025-09BPNew ProductVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a, e Qg (Typ)D 100% Rg TestedD RoHS Compliant0.0086 @ VGS = 10 V 62 RoHS25 18 5 nC25 18.5 nCCOMPLIANT0.012 @ VGS = 4.5 V 52APPLICATIONSD DC/DC Conversion, High-Side Desktop PCTO-252DGDrain Connected to TabG D
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13
History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r