Справочник MOSFET. SUD50N03-11

 

SUD50N03-11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD50N03-11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD50N03-11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  vishay
sud50n03-11.pdfpdf_icon

SUD50N03-11

SUD50N03-11Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Maximum Junction TemperatureRoHS0.011 at VGS = 10 V 50COMPLIANT 30 100 % Rg Tested0.017 at VGS = 4.5 V 43DTO-252GDrain Connected to TabG D SSTop ViewOrdering Information: SUD50N03-11-E3 (Lead

 4.1. Size:73K  vishay
sud50n03-16p.pdfpdf_icon

SUD50N03-11

SUD50N03-16PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD PWM OptimizedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 100% Rg Tested0.016 @ VGS = 10 V 15APPLICATIONS30300.024 @ VGS = 4.5 V 12D High-Side DC/DC- Desktop- ServerDD DDR DC/DC ConverterTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Inform

 4.2. Size:108K  vishay
sud50n03-10.pdfpdf_icon

SUD50N03-11

SUD50N03-10SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.010 @ VGS = 10 V "1530300.019 @ VGS = 4.5 V "12DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrder Number: SSUD50N03-10N-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-

 4.3. Size:157K  vishay
sud50n03-12p.pdfpdf_icon

SUD50N03-11

SUD50N03-12PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 100 % Rg and UIS Tested0.0120 at VGS = 10 V 17.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC300.0175 at VGS = 4.5 V 14.5TO-252DGDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD50N03-12P-E3 (Lead (PB) fr

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FDS6614A | 2N6760JANTXV | RU7550S | STP20NM60FP | 2SK3767 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.