SUD50N03-16P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUD50N03-16P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUD50N03-16P Datasheet (PDF)
sud50n03-16p.pdf

SUD50N03-16PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD PWM OptimizedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 100% Rg Tested0.016 @ VGS = 10 V 15APPLICATIONS30300.024 @ VGS = 4.5 V 12D High-Side DC/DC- Desktop- ServerDD DDR DC/DC ConverterTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Inform
sud50n03-11.pdf

SUD50N03-11Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Maximum Junction TemperatureRoHS0.011 at VGS = 10 V 50COMPLIANT 30 100 % Rg Tested0.017 at VGS = 4.5 V 43DTO-252GDrain Connected to TabG D SSTop ViewOrdering Information: SUD50N03-11-E3 (Lead
sud50n03-10.pdf

SUD50N03-10SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.010 @ VGS = 10 V "1530300.019 @ VGS = 4.5 V "12DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrder Number: SSUD50N03-10N-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-
sud50n03-12p.pdf

SUD50N03-12PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 100 % Rg and UIS Tested0.0120 at VGS = 10 V 17.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC300.0175 at VGS = 4.5 V 14.5TO-252DGDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD50N03-12P-E3 (Lead (PB) fr
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AK12N65S | NTMD5836NLR2G | WVM3.9N100 | AM3902N | AG7N60S | SM7370ESKP | AP60SL115AI
History: AK12N65S | NTMD5836NLR2G | WVM3.9N100 | AM3902N | AG7N60S | SM7370ESKP | AP60SL115AI



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet