Справочник MOSFET. SUD50P04-08

 

SUD50P04-08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD50P04-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUD50P04-08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD50P04-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
sud50p04-08.pdfpdf_icon

SUD50P04-08

SUD50P04-08www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0081 at VGS = -10 V -50 d-40 60 Material categorization:0.0117 at VGS = -4.5 V -48 dfor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252TOAPPLICATIONS

 ..2. Size:1492K  cn vbsemi
sud50p04-08.pdfpdf_icon

SUD50P04-08

SUD50P04-08www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C,

 ..3. Size:206K  inchange semiconductor
sud50p04-08.pdfpdf_icon

SUD50P04-08

INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD50P04-08FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor contorlDC-DC conventersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 4.1. Size:88K  vishay
sud50p04-09l.pdfpdf_icon

SUD50P04-08

SUD50P04-09LVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d 175 C Junction Temperature0.0094 at VGS = - 10 V - 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC- 400.0145 at VGS = - 4.5 V - 50STO-252GDrain Connected to TabG D STop View DOrdering Information: SUD50P04

Другие MOSFET... SUD50N04-09H , SUD50N04-37P , SUD50N04-8M8P , SUD50N06-07L , SUD50N06-08H , SUD50N06-09L , SUD50N10-18P , SUD50N10-34P , IRFP064N , SUD50P04-09L , SUD50P04-13L , SUD50P04-15 , SUD50P04-23 , SUD50P04-40P , SUD50P06-15 , SUD50P06-15L , SUD50P08-25L .

History: SSM4500GM | HSS3400A

 

 
Back to Top

 


 
.