Справочник MOSFET. SUM18N25-165

 

SUM18N25-165 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM18N25-165
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM18N25-165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  vishay
 sum18n25-165.pdf pdf_icon

SUM18N25-165

SUM18N25-165Vishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) ID (A)rDS(on) () 175 C Junction TemperatureRoHS0.165 at VGS = 10 V 250 18COMPLIANT Low Thermal Resistance PackageDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM18N25-165-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFETABSOLU

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RU1H40L | P0160AI | FRS9230R | ME9435A | RJJ0601JPE | 2SK2850-01 | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.