Справочник MOSFET. SUM52N20-39P

 

SUM52N20-39P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM52N20-39P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM52N20-39P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  vishay
 sum52n20-39p.pdf pdf_icon

SUM52N20-39P

SUM52N20-39PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.038 at VGS = 15 V52200 81 100 % Rg and UIS Tested0.039 at VGS = 10 V52APPLICATIONS Power Supply- Primary Side Lighting IndustrialDTO-263GG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.