SUM55P06-19L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUM55P06-19L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 76 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 390 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.019 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUM55P06-19L
SUM55P06-19L Datasheet (PDF)
..1. Size:127K vishay
sum55p06-19l.pdf
sum55p06-19l.pdf
SUM55P06-19LVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) Material categorization:For definitions of compliance please see0.019 at VGS = - 10 V - 55- 60 76www.vishay.com/doc?999120.025 at VGS = - 4.5 V - 48STO-263GDDG STop View P-Channel MOSFETOrdering
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
