SUM65N20-30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUM65N20-30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 220 ns
Выходная емкость (Cd): 480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUM65N20-30
SUM65N20-30 Datasheet (PDF)
..1. Size:163K vishay
sum65n20-30.pdf
sum65n20-30.pdf
SUM65N20-30Vishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.030 at VGS = 10 V20065aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDTO-263GG D STop ViewSOrdering Info
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
